पावर मॉड्यूल

अप्रैल 2026अंगूठाकार|300x300पिक्सेल|एक उच्च शक्ति वाला आई. जी. बी. टी. मॉड्यूल ( 3300 वोल्ट, 1200 एम्पीयर) । शक्ति मॉड्यूल के अन्दर दसियों डाई समान्तर में जुड़े होते हैं। अंगूठाकार|एक खुला हुआ आई. जी. बी. टी. मॉड्यूल -विभिन्न अर्धचालक डाई तार से जुड़े होते हैं जबकि बाहरी कनेक्टर लीड-फ्रेम संरचनाओं द्वारा जुड़े होते है। पावर मॉड्यूल (Power Module) या पावर इलेक्ट्रॉनिक मॉड्यूल कई पावर घटकों, आमतौर पर पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों के लिए भौतिक नियंत्रण प्रदान करता है। इन शक्ति अर्धचालकों (जिनको 'डाई' कहा जाता है) को आम तौर पर एक शक्ति इलेक्ट्रॉनिक सब्सट्रेट पर सोल्डर या सिंटर किया जाता है। इतिहास सन् 1974 में, सेमीक्रॉन ने सेमीपैक 1 पेश किया, जो व्यावसायिक रूप से उपलब्ध पहला "विभव-मुक्त" शक्ति मॉड्यूल था। इसके अन्दर डायोड और एससीआर दोनों का उपयोग करके इसे विभिन्न प्रकार के कनेक्शन लेआउट में उपलब्ध किया गया। "विभव-मुक्त" का अर्थ यह है कि शक्ति मॉड्यूल का धातु बेसप्लेट इसके अर्धचालक परिपथ से विद्युतीय रूप से जुड़ा नहीं था। अतः किसी अतिरिक्त इन्सुलेशन के बिना ही हीटसिंक पर सीधे इसे स्थापित किया जा सकता है।https://www.semikron-danfoss.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-application-manual-power-semiconductors-english-en-2015.pdf Semikron Application Manual: Power Semiconductors https://web.archive.org/web/20221208010353/https://www.semikron-danfoss.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-application-manual-power-semiconductors-english-en-2015/ 2022-12-08 एक से अधिक युक्तियाँ धातु के एक ही हीटसिंक पर लगायी जा सकतीं हैं। विद्युतीय रूप से विलगित होते हुए भी बेस-प्लेट ऊष्मीय रूप से अन्दर के विद्युत परिपथ से कम ऊष्मीय प्रतिरोध से जुड़ा होता है। निर्माता   मॉड्यूल टोपोलॉजी (Module Topology) कुछ पावर मॉड्यूल्स में केवल एक शक्ति अवयव होता है (जैसे कि MOSFET, IGBT, BJT, Thyristor, GTO, JET या डायोड (Diode) शामिल होते हैं। हालाँकि, अधिकांश पावर मॉड्यूल्स में आपस में जुड़े कई 'बेयर डाई' (bare dies) शामिल होते हैं जो एक विशिष्ट शक्ति-परिपथ (टोपोलॉजी) बनाने के लिए बहुत उपयुक्त होते हैं। पावर मॉड्यूल में अन्य घटक भी शामिल हो सकते हैं, जैसे कि स्विचिंग वोल्टेज ओवरशूट (overshoot) को कम करने के लिए सिरेमिक कैपेसिटर, या सबस्ट्रेट के तापमान की निगरानी के लिए तापमान सेंसर। सामान्य मॉड्यूल टोपोलॉजी मुख्यतः ये हैं: स्विच (MOSFET, IGBT) के साथ एंटी-पैरेलल (Antiparallel) डायोड। डायोड ब्रिज (Diode Bridge), जिसमें चार (सिंगल-फेज) या छह (थ्री-फेज) डायोड होते हैं। हाफ ब्रिज (Half Bridge): इन्वर्टर का एक लेग (leg), जिसमें दो स्विच और उनके एंटी-पैरेलल डायोड होते हैं। H-ब्रिज: चार स्विच और उनके एंटी-पैरेलल डायोड। बूस्ट सर्किट (Boost Circuit) या PFC (पावर फैक्टर करेक्शन): एक या दो स्विच, साथ ही एक या दो हाई-स्पीड रेक्टिफायर डायोड। ANPFC: दो स्विच, उनके एंटी-पैरेलल डायोड और चार हाई-स्पीड रेक्टिफायर डायोड वाला PFC सर्किट। थ्री-लेवल NPC (I-Type): मल्टी-लेवल इन्वर्टर, जिसमें चार स्विच और उनके एंटी-पैरेलल डायोड होते हैं। थ्री-लेवल NPC (T-Type): मल्टी-लेवल इन्वर्टर, जिसमें चार स्विच और उनके एंटी-पैरेलल डायोड होते हैं। थ्री-लेवल ANPC: मल्टी-लेवल इन्वर्टर, जिसमें छह स्विच और उनके एंटी-पैरेलल डायोड होते हैं। थ्री-लेवल H6.5: छह स्विच (चार फास्ट IGBT, दो स्लो IGBT) और पांच फास्ट डायोड। थ्री-फेज इन्वर्टर: इसे 6-in-1 के रूप में भी जाना जाता है, जिसमें छह स्विच और उनके एंटी-पैरेलल डायोड होते हैं। पावर इंटरफेस मॉड्यूल (PIM): इसमें इनपुट रेक्टिफायर, PFC और इन्वर्टर स्टेज शामिल होते हैं। इंटेलिजेंट पावर मॉड्यूल (IPM): इसमें पावर स्टेज के साथ उसका ड्राइविंग और सुरक्षा (protection) सर्किट शामिल होता है; इसमें इनपुट रेक्टिफायर और PFC भी शामिल हो सकते हैं। इन्हें भी देखें पावरपैक (ड्राइवट्रेन) प्राइम मूवर एकीकृत परिपथ (आईसी) सन्दर्भ बाहरी कड़ियाँ Insulated_gate_bipolar_transistors IGBT Eltek Flatpack2 48V HE पावर मॉड्यूल का एक उदाहरण; एक उच्च दक्षता वाला रेक्टिफायर। श्रेणी:शक्ति इलेक्ट्रॉनिकी